演講嘉賓一:彭練矛 院士
彭練矛,北京大學電子學院教授、院長。1982年畢業於北京大學無線電電子學系。1983年通過李政道先生主持的CUSPEA計劃赴美,於亞利桑那州立大學美國高分辨電子顯微學中心師從J.M.Cowley教授,1988年獲博士學位。1989年至英國牛津大學,任M.J.Whelan 教授的研究助手。1990年被選為牛津大學Glasstone Fellow,國際電子顯微學會聯合會Presidential Scholar。1994年底回國,獲首屆國家傑出青年科學基金資助。 1999年被北京大學聘為教育部首批“長江學者獎勵計畫”特聘教授。 2019年當選中國科學院院士。
主要研究領域為碳基電子學件。 四次擔任國家973計畫和重點研發計畫項目首席科學家,發表論文400餘篇,被引3萬餘次,相關工作分獲2010年度和2016年度國家自然科學二等獎;2000年度和2017年度“中國高等學校十大科技進展”;2000年度“中國基礎科學研究十大新聞”及2011年度“中國科學十大進展”;全國科技創中心2018 年度重大標誌性原創成果。
演講題目二:《後摩爾時代的碳基電子學》
演講內容摘要:
單壁碳納米管是理想的電子學材料,具有超薄的管壁,極高的本質載流子遷移率,對稱的能帶,本徵的柔性,是構建優異的電子系統。適合集成電路應用的高純碳納米管薄膜技術近年得到了快速發展,使得構建大規模碳納米管集成電路成為可能。
在美國DARPA項目的支持下,MIT大學和SkyWater公司聯合團隊成功地在商業8英寸線上流出了90納米碳納米管CMOS芯片,展示了百萬門級的碳納米管傳感和成像陣列,幾萬門級的SRAM電路,以及一定複雜度的碳納米管微處理器。 在器件性能方面,北京大學團隊演示了碳納米管CMOS器件直到亞5納米和接近理論極限的優異的可縮減性,可在0.5V工作的超低功耗狄拉克源晶體管,接近太赫茲工作頻率的射頻晶體管和放大器以及不可複製的密碼編譯和解碼器。 這些成果充分展示了碳納米管在電子學領域的規模應用前景。